在线客服 
IXTP3N50D2
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IXTP3N50D2
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- Depletion
- 描述：
- MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 500 V 3A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- IXTP3N50D2说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | Depletion |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 1.5A，0V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 40 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1070 pF @ 25 V |
| FET 功能 | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥33.352304 | ￥33.35 |
| 10+ | ￥29.972619 | ￥299.73 |
| 100+ | ￥24.560335 | ￥2456.03 |
| 500+ | ￥20.907403 | ￥10453.70 |
| 1000+ | ￥17.632802 | ￥17632.80 |
| 2000+ | ￥17.174818 | ￥34349.64 |
