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IXFA6N120P

IXYS photo

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制造商编号:
IXFA6N120P
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
HiPerFET™, Polar
描述:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
详细描述:
表面贴装型 N 通道 1200 V 6A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXFA)
规格说明书:
IXFA6N120P说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 HiPerFET™, Polar
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.4 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 92 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2830 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 250W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263(IXFA)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥90.254115 ¥90.25
10+ ¥81.523927 ¥815.24
100+ ¥67.496468 ¥6749.65
500+ ¥58.774966 ¥29387.48
1000+ ¥51.708267 ¥51708.27

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