STGWT60H65FB
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- 制造商编号:
- STGWT60H65FB
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- -
- 描述:
- IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
- 详细描述:
- IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 375 W 通孔 TO-3P
- 规格说明书:
- STGWT60H65FB说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | - |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 80 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.3V @ 15V,60A |
功率 - 最大值 | 375 W |
开关能量 | 1.09mJ(开),626µJ(关) |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 306 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 51ns/160ns |
测试条件 | 400V,60A,5 欧姆,15V |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
供应商器件封装 | TO-3P |
标准包装 | 30 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥31.117284 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥49.933217 | ¥49.93 |
10+ | ¥44.859077 | ¥448.59 |
100+ | ¥36.754255 | ¥3675.43 |
500+ | ¥31.28791 | ¥15643.95 |
1000+ | ¥31.117284 | ¥31117.28 |