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IXYQ40N65C3D1
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- 制造商编号：
- IXYQ40N65C3D1
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- XPT™, GenX3™
- 描述：
- IGBT
- 详细描述：
- IGBT - 650 V 80 A 300 W 通孔 TO-3P
- 规格说明书：
- IXYQ40N65C3D1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | XPT™, GenX3™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 180 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.35V @ 15V，40A |
| 功率 - 最大值 | 300 W |
| 开关能量 | 830µJ（开），650µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 66 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 23ns/110ns |
| 测试条件 | 400V，30A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 40 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 标准包装 | 30 |
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
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