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IRFIB5N65APBF
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- 制造商编号：
- IRFIB5N65APBF
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 5.1A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- IRFIB5N65APBF说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 930 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 48 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1417 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 60W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STF10N65K3 | STMicroelectronics | ¥13.21000 | 类似 |
| R6008FNX | Rohm Semiconductor | ¥27.96000 | 类似 |
| TK8A65D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥19.28000 | 类似 |
| STP9NK60ZFP | STMicroelectronics | ¥23.81000 | 类似 |
| STF7NM60N | STMicroelectronics | ¥23.04000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥24.736488 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥43.728866 | ￥43.73 |
| 10+ | ￥39.246564 | ￥392.47 |
| 100+ | ￥32.156942 | ￥3215.69 |
| 500+ | ￥27.375041 | ￥13687.52 |
| 1000+ | ￥24.736488 | ￥24736.49 |
