DMN30H4D0LFDE-7
![Diodes photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Diodes Incorporated.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Diodes/83bH74sn.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Diodes/83bH74sn.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- DMN30H4D0LFDE-7
- 制造商:
- Diodes美台
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 300 V 550mA(Ta) 630mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
- 规格说明书:
- DMN30H4D0LFDE-7说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Diodes(美台) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 300 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 550mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.7V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4 欧姆 @ 300mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 7.6 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 187.3 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 630mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | U-DFN2020-6(E 类) |
封装/外壳 | 6-PowerUDFN |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥4.992587 | ¥4.99 |
10+ | ¥4.307531 | ¥43.08 |
100+ | ¥3.216229 | ¥321.62 |
500+ | ¥2.527298 | ¥1263.65 |
1000+ | ¥1.952945 | ¥1952.94 |
3000+ | ¥1.780632 | ¥5341.90 |
6000+ | ¥1.665757 | ¥9994.54 |