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APT102GA60B2
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- 制造商编号：
- APT102GA60B2
- 制造商：
- Microchip微芯
- 系列：
- POWER MOS 8™
- 描述：
- IGBT 600V 183A 780W TO247
- 详细描述：
- IGBT PT 600 V 183 A 780 W 通孔
- 规格说明书：
- APT102GA60B2说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microchip(微芯) |
| 系列 | POWER MOS 8™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| IGBT 类型 | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 183 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 307 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.5V @ 15V，62A |
| 功率 - 最大值 | 780 W |
| 开关能量 | 1.354mJ（开），1.614mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 294 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 28ns/212ns |
| 测试条件 | 400V，62A，4.7 欧姆，15V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 变式 |
| 标准包装 | 30 |
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
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