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BTS282ZE3180AATMA2
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- BTS282ZE3180AATMA2
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- TEMPFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 49 V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-1
- 规格说明书：
- BTS282ZE3180AATMA2说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | TEMPFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 不适用于新设计 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 49 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 毫欧 @ 36A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 240µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 232 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4800 pF @ 25 V |
| FET 功能 | 温度检测二极管 |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7-1 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
| 标准包装 | 1,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥43.564295 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥69.230118 | ￥69.23 |
| 10+ | ￥62.208881 | ￥622.09 |
| 100+ | ￥50.970177 | ￥5097.02 |
| 500+ | ￥43.564295 | ￥21782.15 |
| 1000+ | ￥43.564295 | ￥43564.29 |
