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IRFHM8334TRPBF
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- 制造商编号：
- IRFHM8334TRPBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta） 2.7W（Ta），28W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
- 规格说明书：
- IRFHM8334TRPBF说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1180 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.7W（Ta），28W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 4,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STL11N3LLH6 | STMicroelectronics | ¥12.06000 | 类似 |
| NTTFS4C13NTAG | onsemi | ¥8.29000 | 类似 |
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.15000 | 类似 |
| RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.61000 | 类似 |
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | ¥8.14000 | 类似 |
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- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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