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SI2314EDS-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI2314EDS-T1-E3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 20 V 3.77A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
- 规格说明书：
- SI2314EDS-T1-E3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.77A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 33 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RUR040N02TL | Rohm Semiconductor | ¥4.76000 | 类似 |
| PMV30UN2R | Nexperia USA Inc. | ¥3.61000 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥3.308697 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥8.305625 | ￥8.31 |
| 10+ | ￥7.276125 | ￥72.76 |
| 100+ | ￥5.580435 | ￥558.04 |
| 500+ | ￥4.411605 | ￥2205.80 |
| 1000+ | ￥3.529281 | ￥3529.28 |
| 3000+ | ￥3.308697 | ￥9926.09 |
