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SIS990DN-T1-GE3

Vishay photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
SIS990DN-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 100V 12.1A 25W 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双
规格说明书:
SIS990DN-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 85 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 250pF @ 50V
功率 - 最大值 25W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 双
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8 双
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥4.190834 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥9.26301 ¥9.26
10+ ¥8.239727 ¥82.40
100+ ¥6.426166 ¥642.62
500+ ¥5.308388 ¥2654.19
1000+ ¥4.190834 ¥4190.83
3000+ ¥4.190834 ¥12572.50

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