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EPC2012
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- 制造商编号：
- EPC2012
- 制造商：
- EPC
- 系列：
- eGaN®
- 描述：
- GANFET N-CH 200V 3A DIE
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 200 V 3A（Ta） - 模具
- 规格说明书：
- EPC2012说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | EPC |
| 系列 | eGaN® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | Digi-Key 停止提供 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 3A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.8 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | +6V，-5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 145 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 模具 |
| 封装/外壳 | 模具 |
| 标准包装 | 1,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| EPC2012C | EPC | ¥21.20000 | 直接 |
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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