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APT40GP60B2DQ2G
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- 制造商编号：
- APT40GP60B2DQ2G
- 制造商：
- Microchip微芯
- 系列：
- POWER MOS 7®
- 描述：
- IGBT 600V 100A 543W TMAX
- 详细描述：
- IGBT PT 600 V 100 A 543 W 通孔
- 规格说明书：
- APT40GP60B2DQ2G说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microchip(微芯) |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 160 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.7V @ 15V，40A |
| 功率 - 最大值 | 543 W |
| 开关能量 | 385µJ（开），350µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 135 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 20ns/64ns |
| 测试条件 | 400V，40A，5 欧姆，15V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 变式 |
| 标准包装 | 1 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| NGTB45N60SWG | Rochester Electronics, LLC | ¥20.63267 | 类似 |
| NGTB45N60S2WG | onsemi | ¥32.18000 | 类似 |
价格库存
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大陆：7~10天送达
- 标准包装
- 1 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥132.693857 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 40+ | ￥132.693857 | ￥5307.75 |
