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SI7501DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7501DN-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道，共漏 30V 5.4A，4.5A 1.6W 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双
- 规格说明书：
- SI7501DN-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道，共漏 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.4A，4.5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 7.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 1.6W |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 标准包装 | 3,000 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 剪切带（CT）
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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