SI7501DN-T1-GE3
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- 制造商编号:
- SI7501DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道,共漏 30V 5.4A,4.5A 1.6W 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双
- 规格说明书:
- SI7501DN-T1-GE3说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | - |
包装 | 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 和 P 沟道,共漏 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.4A,4.5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 35 毫欧 @ 7.7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | - |
功率 - 最大值 | 1.6W |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 双 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 剪切带(CT)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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