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EPC2019

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制造商编号:
EPC2019
制造商:
EPC
系列:
eGaN®
描述:
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
详细描述:
表面贴装型 N 通道 200 V 8.5A(Ta) 模具
规格说明书:
EPC2019说明书
在线客服:
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规格参数

属性 属性值
制造商 EPC
系列 eGaN®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 7A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.5 nC @ 5 V
Vgs(最大值) +6V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 270 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 模具
封装/外壳 模具
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥18.047476 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥35.050234 ¥35.05
10+ ¥31.501693 ¥315.02
100+ ¥25.807864 ¥2580.79
500+ ¥21.969795 ¥10984.90
1000+ ¥18.528742 ¥18528.74
2000+ ¥18.047476 ¥36094.95

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