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STP10P6F6

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制造商编号:
STP10P6F6
制造商:
ST意法半导体
系列:
DeepGATE™, STripFET™ VI
描述:
MOSFET P-CH 60V 10A TO220
详细描述:
通孔 P 通道 60 V 10A(Tc) 30W(Tc) TO-220
规格说明书:
STP10P6F6说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 DeepGATE™, STripFET™ VI
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 160 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 340 pF @ 48 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 30W(Tc)
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥12.082516 ¥12.08
10+ ¥10.767118 ¥107.67
100+ ¥8.391307 ¥839.13
500+ ¥6.932081 ¥3466.04
1000+ ¥5.804418 ¥5804.42

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