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TK62N60X,S1F
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- 制造商编号：
- TK62N60X,S1F
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- DTMOSIV-H
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 61.8A（Ta） 400W（Tc） TO-247
- 规格说明书：
- TK62N60X,S1F说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | DTMOSIV-H |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 61.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 21A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 3.1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 135 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6500 pF @ 300 V |
| FET 功能 | 超级结 |
| 功率耗散（最大值） | 400W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FCH76N60NF | onsemi | ¥150.68000 | 类似 |
| FCH041N60F-F085 | Rochester Electronics, LLC | ¥115.28000 | 类似 |
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥58.651587 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥102.365582 | ￥102.37 |
| 10+ | ￥92.477164 | ￥924.77 |
| 100+ | ￥76.559832 | ￥7655.98 |
| 500+ | ￥66.66736 | ￥33333.68 |
| 1000+ | ￥58.651587 | ￥58651.59 |
