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FDMS001N025DSD
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- 制造商编号：
- FDMS001N025DSD
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- PowerTrench®
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 25V 8PQFN
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 25V 19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc） 表面贴装型 8-PQFN（5x6）
- 规格说明书：
- FDMS001N025DSD说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 320µA，3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 10V，104nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370pF @ 13V，5105pF @ 13V |
| 功率 - 最大值 | 2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 标准包装 | 3,000 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
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