FQI9N08LTU
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- 制造商编号:
- FQI9N08LTU
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- QFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 80 V 9.3A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) I2PAK(TO-262)
- 规格说明书:
- FQI9N08LTU说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | QFET® |
包装 | 管件 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 80 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.3A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 210 毫欧 @ 4.65A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.1 nC @ 5 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 280 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.75W(Ta),40W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | I2PAK(TO-262) |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 50 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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