STW36NM60ND
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- 制造商编号:
- STW36NM60ND
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
- 描述:
- MOSFET N-CH 600V 29A TO247
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 600 V 29A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
- 规格说明书:
- STW36NM60ND说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 29A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 110 毫欧 @ 14.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 80.4 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2785 pF @ 50 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 190W(Tc) |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | ¥59.75000 | 类似 |
AOK42S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥52.53000 | 类似 |
IXFX48N60Q3 | IXYS | ¥215.95000 | 类似 |
IXKH35N60C5 | IXYS | ¥89.24000 | 类似 |
IXFR64N60P | IXYS | ¥155.05000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥53.622257 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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600+ | ¥53.622257 | ¥32173.35 |