STGB30H65FB
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- STGB30H65FB
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- HB
- 描述:
- IGBT
- 详细描述:
- IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 260 W 表面贴装型 D²PAK(TO-263)
- 规格说明书:
- STGB30H65FB说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | HB |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 在售 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 60 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 120 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,30A |
功率 - 最大值 | 260 W |
开关能量 | 151µJ(开),293µJ(关) |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 149 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 37ns/146ns |
测试条件 | 400V,30A,10 欧姆,15V |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D²PAK(TO-263) |
标准包装 | 1,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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1000+ | ¥11.795647 | ¥11795.65 |