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IXTH6N50D2

IXYS photo

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制造商编号:
IXTH6N50D2
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
Depletion
描述:
MOSFET N-CH 500V 6A TO247
详细描述:
通孔 N 通道 500 V 6A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
规格说明书:
IXTH6N50D2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 Depletion
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 500 毫欧 @ 3A,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 96 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2800 pF @ 25 V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247(IXTH)
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥50.224411 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥87.656669 ¥87.66
10+ ¥79.185677 ¥791.86
100+ ¥65.559355 ¥6555.94
500+ ¥57.088488 ¥28544.24
1000+ ¥50.224411 ¥50224.41

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