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STW33N60M2
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STW33N60M2
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- MDmesh™ II Plus
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 26A TO247
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 26A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
- 规格说明书：
- STW33N60M2说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | MDmesh™ II Plus |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 125 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1781 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 190W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FCH150N65F-F155 | onsemi | ¥34.79000 | 类似 |
| IXFR64N60Q3 | IXYS | ¥321.24000 | 类似 |
| IXKH35N60C5 | IXYS | ¥89.24000 | 类似 |
| APT38N60BC6 | Microchip Technology | ¥51.76000 | 类似 |
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | ¥59.75000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥34.514372 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥57.480394 | ￥57.48 |
| 10+ | ￥51.629156 | ￥516.29 |
| 100+ | ￥42.304849 | ￥4230.48 |
| 500+ | ￥36.013313 | ￥18006.66 |
| 1000+ | ￥34.514372 | ￥34514.37 |
