ALD212900SAL
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- 制造商编号:
- ALD212900SAL
- 系列:
- EPAD®, Zero Threshold™
- 描述:
- MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)配对 10.6V 80mA 500mW 表面贴装型 8-SOIC
- 规格说明书:
- ALD212900SAL说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Advanced Linear Devices |
系列 | EPAD®, Zero Threshold™ |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N 沟道(双)配对 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 10.6V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 14 欧姆 |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 20mV @ 20µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 30pF @ 5V |
功率 - 最大值 | 500mW |
工作温度 | 0°C ~ 70°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
标准包装 | 50 |
价格库存
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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50+ | ¥47.664158 | ¥2383.21 |