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IRFD113PBF
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- 制造商编号：
- IRFD113PBF
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 60 V 800mA（Tc） 1W（Tc） 4-HVMDIP
- 规格说明书：
- IRFD113PBF说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 800mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 800 毫欧 @ 800mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 200 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | 4-HVMDIP |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 标准包装 | 2,500 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥19.86776 | ￥19.87 |
| 10+ | ￥17.858187 | ￥178.58 |
| 100+ | ￥14.357563 | ￥1435.76 |
| 500+ | ￥11.796115 | ￥5898.06 |
| 1000+ | ￥10.110957 | ￥10110.96 |
