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STP18NM80

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制造商编号:
STP18NM80
制造商:
ST意法半导体
系列:
MDmesh™
描述:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
详细描述:
通孔 N 通道 800 V 17A(Tc) 190W(Tc) TO-220
规格说明书:
STP18NM80说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 MDmesh™
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 295 毫欧 @ 8.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 70 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2070 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 190W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
50 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥65.564747 ¥65.56
10+ ¥59.19293 ¥591.93
100+ ¥49.007711 ¥4900.77
500+ ¥43.801719 ¥21900.86

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