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FMP76-01T

IXYS photo

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制造商编号:
FMP76-01T
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道,共漏 100V 54A(Tc),62A(Tc) 89W,132W 通孔 ISOPLUS i4-PAC™
规格说明书:
FMP76-01T说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 和 P 沟道,共漏
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 54A(Tc),62A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 24 毫欧 @ 38A,10V,11 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA,4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 197nC @ 10V,104nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1370pF @ 25V,5080pF @ 25V
功率 - 最大值 89W,132W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak™
供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC™
标准包装 25

价格库存

库存
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标准包装
25 / PCS
包装
管件
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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