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TPD3215M

Transphorm photo

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制造商编号:
TPD3215M
制造商:
Transphorm
系列:
-
描述:
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 600V 70A(Tc) 470W 通孔 模块
规格说明书:
TPD3215M说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Transphorm
系列 -
包装 散装
零件状态 停产
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能 GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss) 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 70A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 34 毫欧 @ 30A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 28nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2260pF @ 100V
功率 - 最大值 470W
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥1601.568152 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥1672.240564 ¥1672.24
10+ ¥1601.568152 ¥16015.68

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