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TPD3215M
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- 制造商编号：
- TPD3215M
- 制造商：
- Transphorm
- 系列：
- -
- 描述：
- GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 600V 70A（Tc） 470W 通孔 模块
- 规格说明书：
- TPD3215M说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Transphorm |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 70A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 34 毫欧 @ 30A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 28nC @ 8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2260pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 470W |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 供应商器件封装 | 模块 |
| 标准包装 | 1 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 1 / PCS
- 包装
- 散装
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1533.043308 | ￥1533.04 |
| 10+ | ￥1468.253666 | ￥14682.54 |
