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SCT10N120
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- 制造商编号：
- SCT10N120
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- -
- 描述：
- SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 1200 V 12A（Tc） 150W（Tc） HiP247™
- 规格说明书：
- SCT10N120说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 690 毫欧 @ 6A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值） | +25V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 290 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | HiP247™ |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXFH18N100Q3 | IXYS | ¥159.97000 | 类似 |
| MSC360SMA120B | Microchip Technology | ¥44.00000 | 类似 |
| IXFH15N100P | IXYS | ¥93.15000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥78.854198 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥117.919978 | ￥117.92 |
| 10+ | ￥106.561912 | ￥1065.62 |
| 100+ | ￥88.226623 | ￥8822.66 |
| 500+ | ￥78.854198 | ￥39427.10 |
