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CSD87503Q3ET
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- 制造商编号：
- CSD87503Q3ET
- 制造商：
- TI德州仪器
- 系列：
- NexFET™
- 描述：
- 30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共源 30V 10A（Ta） 15.6W 表面贴装型 8-VSON（3.3x3.3）
- 规格说明书：
- CSD87503Q3ET说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | TI(德州仪器) |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共源 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17.4nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1020pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 15.6W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | 8-VSON（3.3x3.3） |
| 标准包装 | 250 |
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- 标准包装
- 250 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥5.715028 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥11.463752 | ￥11.46 |
| 10+ | ￥10.207961 | ￥102.08 |
| 25+ | ￥9.694206 | ￥242.36 |
| 100+ | ￥7.961837 | ￥796.18 |
| 250+ | ￥7.442437 | ￥1860.61 |
| 500+ | ￥6.57711 | ￥3288.56 |
| 1000+ | ￥5.715028 | ￥5715.03 |
