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CSD87355Q5DT

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制造商编号:
CSD87355Q5DT
制造商:
TI德州仪器
系列:
NexFET™
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)非对称型 30V 45A 2.8W 表面贴装型 8-LSON(5x6)
规格说明书:
CSD87355Q5DT说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 NexFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能 逻辑电平栅极,5V 驱动
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 45A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1860pF @ 15V
功率 - 最大值 2.8W
工作温度 -55°C ~ 155°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerLDFN
供应商器件封装 8-LSON(5x6)
标准包装 250

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
250 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥18.448521 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥30.748219 ¥30.75
10+ ¥27.596309 ¥275.96
100+ ¥22.612809 ¥2261.28
250+ ¥21.452981 ¥5363.25
500+ ¥19.249678 ¥9624.84
1000+ ¥18.448521 ¥18448.52

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