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STP26NM60N

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制造商编号:
STP26NM60N
制造商:
ST意法半导体
系列:
MDmesh™ II
描述:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
详细描述:
通孔 N 通道 600 V 20A(Tc) 140W(Tc) TO-220
规格说明书:
STP26NM60N说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 MDmesh™ II
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 165 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 60 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1800 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 140W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥38.670193 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥64.455627 ¥64.46
10+ ¥57.854645 ¥578.55
100+ ¥47.399007 ¥4739.90
500+ ¥40.349496 ¥20174.75
1000+ ¥38.670193 ¥38670.19

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