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FCP190N60E
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- 制造商编号：
- FCP190N60E
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- SuperFET® II
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 20.6A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- FCP190N60E说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | SuperFET® II |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 82 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3175 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 208W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STP26NM60N | STMicroelectronics | ¥51.84000 | 类似 |
| IPP65R150CFDXKSA1 | Infineon Technologies | ¥41.16000 | 直接 |
| IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥32.56000 | 类似 |
| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥39.47000 | 类似 |
| AOT27S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥32.25000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥28.00636 | ￥28.01 |
| 10+ | ￥25.202305 | ￥252.02 |
| 100+ | ￥20.253488 | ￥2025.35 |
| 500+ | ￥16.640315 | ￥8320.16 |
| 1000+ | ￥15.127492 | ￥15127.49 |
