您好,欢迎来到壹方微芯!

NGTD21T65F2WP

ON photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
NGTD21T65F2WP
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 表面贴装型 模具
规格说明书:
NGTD21T65F2WP说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 1.9V @ 15V,45A
开关能量 -
输入类型 标准
25°C 时 Td(开/关)值 -
测试条件 -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 模具
供应商器件封装 模具
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥23.72166 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
125+ ¥23.72166 ¥2965.21

相关产品