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SIHB22N60ET1-GE3
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- 制造商编号：
- SIHB22N60ET1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- E
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 21A TO263
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 600 V 21A（Tc） 227W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- SIHB22N60ET1-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | E |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 86 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1920 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 227W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| R6020ENJTL | Rohm Semiconductor | ¥21.73000 | 类似 |
| FCB199N65S3 | onsemi | ¥20.58000 | 类似 |
| AOB27S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥32.26000 | 类似 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥20.167338 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥35.622178 | ￥35.62 |
| 10+ | ￥31.999036 | ￥319.99 |
| 100+ | ￥26.21755 | ￥2621.76 |
| 800+ | ￥22.318457 | ￥17854.77 |
| 1600+ | ￥20.167338 | ￥32267.74 |
