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TSM200N03DPQ33 RGG

Taiwan Semiconductor photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
TSM200N03DPQ33 RGG
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 20A(Tc) 20W 表面贴装型 8-PDFN(3x3)
规格说明书:
TSM200N03DPQ33 RGG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 20 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 345pF @ 25V
功率 - 最大值 20W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerWDFN
供应商器件封装 8-PDFN(3x3)
标准包装 5,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.468251 ¥4.47
10+ ¥3.632734 ¥36.33
100+ ¥2.47646 ¥247.65
500+ ¥1.857174 ¥928.59
15000+ ¥6.40273 ¥96040.95

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