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TPN2R805PL,L1Q
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- 制造商编号：
- TPN2R805PL,L1Q
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- U-MOSIX-H
- 描述：
- MOSFET N-CH 45V 139A/80A 8TSON
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 45 V 139A（Ta），80A（Tc） 2.67W（Ta），104W（Tc） 8-TSON Advance（3.1x3.1）
- 规格说明书：
- TPN2R805PL,L1Q说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | U-MOSIX-H |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 45 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 139A（Ta），80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 300µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 39 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3200 pF @ 22.5 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.67W（Ta），104W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-TSON Advance（3.1x3.1） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 5,000 |
价格库存
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- 标准包装
- 5,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥3.22262 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 5000+ | ￥3.22262 | ￥16113.10 |
