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DMN90H8D5HCTI

Diodes photo

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制造商编号:
DMN90H8D5HCTI
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
详细描述:
通孔 N 通道 900 V 2.5A(Tc) 30W(Tc) ITO-220AB
规格说明书:
DMN90H8D5HCTI说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 470 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 30W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 ITO-220AB
封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥11.176039 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
50+ ¥11.176039 ¥558.80

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