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STGW60H65DFB-4
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- 制造商编号：
- STGW60H65DFB-4
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- HB
- 描述：
- IGBT
- 详细描述：
- IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 375 W 通孔 TO-247-4
- 规格说明书：
- STGW60H65DFB-4说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | HB |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，60A |
| 功率 - 最大值 | 375 W |
| 开关能量 | 346µJ（开），1.161mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 306 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 65ns/261ns |
| 测试条件 | 400V，60A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 60 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-4 |
| 供应商器件封装 | TO-247-4 |
| 标准包装 | 600 |
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- 标准包装
- 600 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 600+ | ￥38.925626 | ￥23355.38 |
