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APTCV90TL12T3G
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- 制造商编号：
- APTCV90TL12T3G
- 制造商：
- Microsemi美高森美
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3
- 详细描述：
- IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 - IGBT，FET 1200 V 80 A 280 W 底座安装 SP3
- 规格说明书：
- APTCV90TL12T3G说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi(美高森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 停产 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 配置 | 三级反相器 - IGBT，FET |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80 A |
| 功率 - 最大值 | 280 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.2V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1 mA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 2.77 nF @ 25 V |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 是 |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP3 |
| 供应商器件封装 | SP3 |
| 标准包装 | 1 |
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- 包装
- 散装
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