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SIZ704DT-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SIZ704DT-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 30V 12A,16A 20W,30W 表面贴装型 6-PowerPair™
规格说明书:
SIZ704DT-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A,16A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 24 毫欧 @ 7.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 435pF @ 15V
功率 - 最大值 20W,30W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-PowerPair™
供应商器件封装 6-PowerPair™
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥10.327132 ¥10.33
10+ ¥9.235146 ¥92.35
100+ ¥7.197646 ¥719.76
500+ ¥5.946125 ¥2973.06
1000+ ¥4.694377 ¥4694.38
3000+ ¥4.694377 ¥14083.13

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