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MVSF2N02ELT1G
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- 制造商编号：
- MVSF2N02ELT1G
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 20 V 2.8A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23-3（TO-236）
- 规格说明书：
- MVSF2N02ELT1G说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 不适用于新设计 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.5 nC @ 4 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150 pF @ 5 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RUR040N02TL | Rohm Semiconductor | ¥4.76000 | 类似 |
| DMN2046U-7 | Diodes Incorporated | ¥3.15000 | 类似 |
| BSS806NEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | ¥3.99000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.967621 | ￥7.97 |
| 10+ | ￥6.967964 | ￥69.68 |
| 100+ | ￥5.345032 | ￥534.50 |
| 500+ | ￥4.225256 | ￥2112.63 |
| 1000+ | ￥3.380164 | ￥3380.16 |
| 3000+ | ￥3.360991 | ￥10082.97 |
