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PMT200EN,115
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- 制造商编号：
- PMT200EN,115
- 制造商：
- NXP恩智浦
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 1.8A（Ta） 800mW（Ta），8.3W（Tc） SC-73
- 规格说明书：
- PMT200EN,115说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | NXP(恩智浦) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 235 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 475 pF @ 80 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 800mW（Ta），8.3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | ¥6.22000 | 类似 |
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
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