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SI8465DB-T2-E1

Vishay photo

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制造商编号:
SI8465DB-T2-E1
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
详细描述:
表面贴装型 P 通道 20 V 2.5A(Ta) 780mW(Ta),1.8W(Tc) 4-Microfoot
规格说明书:
SI8465DB-T2-E1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 104 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 18 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 450 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 780mW(Ta),1.8W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 4-Microfoot
封装/外壳 4-XFBGA,CSPBGA
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
剪切带(CT)
单价:¥2.753787 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.302015 ¥4.30
10+ ¥3.68531 ¥36.85
100+ ¥2.753787 ¥275.38

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