SI8465DB-T2-E1
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- 制造商编号:
- SI8465DB-T2-E1
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
- 详细描述:
- 表面贴装型 P 通道 20 V 2.5A(Ta) 780mW(Ta),1.8W(Tc) 4-Microfoot
- 规格说明书:
- SI8465DB-T2-E1说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 104 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 18 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 450 pF @ 10 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 780mW(Ta),1.8W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 4-Microfoot |
封装/外壳 | 4-XFBGA,CSPBGA |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 剪切带(CT)
单价:¥2.753787 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥4.302015 | ¥4.30 |
10+ | ¥3.68531 | ¥36.85 |
100+ | ¥2.753787 | ¥275.38 |