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    PMGD280UN,115

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    制造商编号：
    PMGD280UN,115
    制造商：
    Nexperia安世
    系列：
    TrenchMOS™
    描述：
    MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
    详细描述：
    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 870mA 400mW 表面贴装型 6-TSSOP
    规格说明书：
    PMGD280UN,115说明书
    在线客服：
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    服务：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Nexperia(安世)
    系列 TrenchMOS™
    包装 卷带（TR） 剪切带（CT）
    零件状态 在售
    FET 类型 2 N-通道（双）
    FET 功能 逻辑电平门
    漏源电压（Vdss） 20V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 870mA
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 340 毫欧 @ 200mA，4.5V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 0.89nC @ 4.5V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 45pF @ 20V
    功率 - 最大值 400mW
    工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型 表面贴装型
    封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
    供应商器件封装 6-TSSOP
    标准包装 3,000

    价格库存

    库存
    0
    货期
    咨询客服
    标准包装
    3,000 / PCS
    包装
    卷带（TR）
    单价：￥0.919574 总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
    1+ ￥4.38905 ￥4.39
    10+ ￥3.3036 ￥33.04
    100+ ￥2.055766 ￥205.58
    500+ ￥1.406311 ￥703.16
    1000+ ￥1.081845 ￥1081.85
    3000+ ￥0.97366 ￥2920.98
    6000+ ￥0.919574 ￥5517.44

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