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HP8M31TB1
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- 制造商编号：
- HP8M31TB1
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 系列：
- -
- 描述：
- HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V 8.5A（Ta） 3W（Ta） 表面贴装型 8-HSOP
- 规格说明书：
- HP8M31TB1说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.5A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65mOhm @ 8.5A，10V，70mOhm @ 8.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12.3nC @ 10V，38nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 470pF @ 30V，2300pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 3W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | 8-HSOP |
| 标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥19.263634 | ￥19.26 |
| 10+ | ￥17.323592 | ￥173.24 |
| 100+ | ￥13.926354 | ￥1392.64 |
| 500+ | ￥11.441823 | ￥5720.91 |
| 1000+ | ￥9.480284 | ￥9480.28 |
| 2500+ | ￥8.915666 | ￥22289.17 |
