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NSS40300DDR2G

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制造商编号:
NSS40300DDR2G
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
详细描述:
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 PNP(双) 40V 3A 100MHz 653mW 表面贴装型 8-SOIC
规格说明书:
NSS40300DDR2G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
晶体管类型 2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3A
电压 - 集射极击穿(最大值) 40V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 170mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 180 @ 1A,2V
功率 - 最大值 653mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥3.99702 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥9.076506 ¥9.08
10+ ¥7.992299 ¥79.92
100+ ¥6.125398 ¥612.54
500+ ¥4.84208 ¥2421.04
1000+ ¥3.99702 ¥3997.02
2500+ ¥3.99702 ¥9992.55

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