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IPD35N10S3L26ATMA1
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- 制造商编号：
- IPD35N10S3L26ATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- OptiMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-11
- 规格说明书：
- IPD35N10S3L26ATMA1说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 35A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 39µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 39 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2700 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 71W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3-11 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies | ¥10.06000 | 类似 |
| IRFR2405TRPBF | Infineon Technologies | ¥13.13000 | 类似 |
| IRFR3410TRPBF | Infineon Technologies | ¥9.29000 | 类似 |
| IRLR3915TRPBF | Infineon Technologies | ¥13.29000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥7.086936 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.037501 | ￥14.04 |
| 10+ | ￥12.546715 | ￥125.47 |
| 100+ | ￥9.779624 | ￥977.96 |
| 500+ | ￥8.079035 | ￥4039.52 |
| 1000+ | ￥7.086936 | ￥7086.94 |
| 2500+ | ￥7.086936 | ￥17717.34 |
