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APT6011B2VRG

Microchip photo

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制造商编号:
APT6011B2VRG
制造商:
Microchip微芯
系列:
POWER MOS V®
描述:
MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX
详细描述:
通孔 N 通道 600 V 49A(Tc) T-MAX™ [B2]
规格说明书:
APT6011B2VRG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 POWER MOS V®
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 49A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 110 毫欧 @ 24.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 450 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 8900 pF @ 25 V
FET 功能 -
安装类型 通孔
供应商器件封装 T-MAX™ [B2]
封装/外壳 TO-247-3 变式
标准包装 1

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
AOK42S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥52.53000 类似
STW34NM60N STMicroelectronics ¥77.49000 类似
IXFX48N60Q3 IXYS ¥196.37000 类似
IXFR64N60P IXYS ¥140.92000 类似
IPW65R110CFDAFKSA1 Infineon Technologies ¥73.03000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
管件
单价:¥231.703717 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
30+ ¥231.703717 ¥6951.11

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