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FDB86363-F085

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制造商编号:
FDB86363-F085
制造商:
ON安森美
系列:
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
描述:
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 80 V 110A(Tc) 300W(Tc) D²PAK(TO-263)
规格说明书:
FDB86363-F085说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 110A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.4 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 150 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 10000 pF @ 40 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK(TO-263)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 800

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
800 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥22.389677 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥37.338011 ¥37.34
10+ ¥33.496038 ¥334.96
100+ ¥27.4435 ¥2744.35
800+ ¥23.362069 ¥18689.66
1600+ ¥22.389677 ¥35823.48

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